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可评估薄膜导电性能的高温四探针测试仪采用直排四探针法设计原理测量。主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，参考美国 A.S.T.M 标准设计。重复性与稳定性更好，采用双屏蔽高频测试线缆，提高测试参数的精确度，同时抗干扰力更强。本设备也可应用于产物检测以及新材料电学性能研究等用途。

高温四探针测试仪的测量原理：

• 测量电阻率的方法很多，如叁探针法、电容-电压法、扩展电阻法等，四探针法则是一种广泛采用的标准方法，高温四探针测试仪采用经典直排四探针原理，同时采用了双电测组合四探针法。

• 经典的直排四探针法测试电阻率，要求使用等间距的探针，如果针间距离不等或探针有游移，就会造成实验误差。当被测片较小或在大片边缘附近测量时，要求计入电场畸变的影响进行边界修正。

• 采用双电测组合四探针的出现，为提高薄膜电阻和体电阻率测量度创造了有利条件。

高温四探针测试仪采用双电测组合四探针法的优势：

可按用户要求订制非标产物

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