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　　高温四探针综合测试系统（包含薄膜，块体功能）是为了更方便的研究在高温条件下的半导体的导电性能，该系统可以*实现在高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率和外延层、扩散层和离子层的方块电阻及测量其他方块电阻。
 

　　高温四探针综合测试系统符合的标准：
 

　　1、符合GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》
 

　　2、符合GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》
 

　　最后我们来了解一下高温四探针综合测试系统的应用：
 

　　1、测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；
 

　　2、可测柔性材料导电薄膜电阻率/方阻；
 

　　3、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（滨罢翱膜）电阻率/方阻；
 

　　4、纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻；
 

　　5、电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量；
 

　　6、可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。