麻豆传媒

铁电参数测试功能

Dynamic Hysteresis 动态电滞回线测试频率

Static Hysterestic 静态电滞回线测试；

PUND 脉冲测试；

Fatigue 疲劳测试；

Retention保持力；

Imprint印迹；

Leakage current漏电流测试；

Thermo Measurement 变温测试功能。

压电参数测试功能

可进行压电陶瓷的准静态d33等参数测试，也可通过高压放大器与位移传感器（如激光干涉仪）动态法测量压电系数测量。

热释电测试功能

主要用于薄膜及块体材料变温的热释电性能测试。采用电流法进行测量材料的热释电电流、热释电系数、剩余极化强度对温度和时间的曲线。

薄膜材料变温范围：-196℃到+600℃；

块体材料变温范围：室温到200℃、室温到600℃、室温到800℃

介电温谱测试功能

用于分析宽频、高低温环境条件下功能材料的阻抗Z、电抗X、导纳Y、电导G、电纳B、电感L、介电损耗D、品质因数Q等物理量，同时还可以分析被测样品随温度、频率、时间、偏压变化的曲线。也可进行压电陶瓷的居里温度测试。

热激发极化电流测试仪 TSDC

用于研究材功材料性能的一些关键因素，诸如分子弛豫、相转变、玻璃化温度等等，通过TSDC技术也可以比较直观的研究材料的弛豫时间、活化能等相关的介电特性。

绝缘电阻测试功能

高精锄丑耻苍度的电压输出与电流测量，保障测试的品质，适用于功能材料在高温环境材料的数据的检测。例如：陶瓷材料、硅橡胶测试、PCB、云母、四氟材料电阻测试、也可做为科研院所新材料的高温绝缘电阻的性能测试。

高温四探针测试功能

符合功能材料导体、半导体材料与其它新材料在高温环境下测试多样化的需求。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。也可应用于产物检测以及新材料电学性能研究等用途。

塞贝克系数/电阻测量系统

适用于半导体，陶瓷材料，金属材料等多种材料的多种热电性能分析；可根据用户需求配置薄膜测量选件，低温选件温度范围-100℃到200℃，高阻选件高至10MΩ。

电卡效应测试功能

还可以用于测试材料在宽温度范围内的电卡性能。

温度范围：-50℃到200℃、热流时间范围：1s-1000s，大电压可达10kV，

波形：用户自定、脉冲、叁角波、正弦波、波形、预定义波形。

用户可根据不同的需要，选择不同的配置。