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铁电存储器的基本存储单元一般有两结构，分别为 1T1C（One transistor one capacitance）结构和&苍产蝉辫;2T2C （Two transistor two capacitance）结构，如图&苍产蝉辫;2-3 所 示。前者使用一个晶体管及一个铁电电容组成一个存储单元，而后者则各为两个。1T1C 结构的优点是能够大的节省存储单元所占芯片面积，但是该结构会导致阵列中位线（Bit Line）的电压差变低，读出时对灵敏放大器的要求会更高；2T2C 结构虽然会使用更大的面积，但是由于每个存储单元都含有两个铁电电容，其阵列中两根位线上的电压差会更大，读出时性会更高。

在本文中，我们采用 2T2C 型存储单元作为我们设计的铁电存储器的基本存储单元。2T2C 结构由两个晶体管和两个铁电电容组成，其连接方式如图&苍产蝉辫;2-3 右图所示，该存储单元包含&苍产蝉辫;4 根与外部连接的信号。其中&苍产蝉辫;WL（Word Line）为字线，连接到两个晶体管的栅极，用于控制两个&苍产蝉辫;NMOS 晶体管的开关；BL、BLN 为位线，用于向存储单元中写入或读出数据；PL（Plate ine）为板线，连接到铁电电容的一极，用于给铁电电容充电使其极化；Fcap1 与&苍产蝉辫;Fcap2 是两个铁电电容，其一极共同连接至&苍产蝉辫;PL，另一极分别与两个&苍产蝉辫;NMOS 相连，当&苍产蝉辫;WL 开启时，这一极便可以与位线导通。